Samsung: 512 GB eUFS für Smartphones geht in Massenproduktion

Samsung UFS für 500-Gigabyte-Smartphones

Samsung verdoppelt die Kapazität seines UFS-Speichers. Die Speicherchips bestehen aus 64-GB-Layer V-NAND-Flashspeicher die mit einem nicht näher genannten Controller von Samsung arbeiten. Samsung teilte mit, dass man mit der Massenproduktion der branchenweit ersten eUFS-Speicherlösung mit 512 Gigabyte Kapazität begonnen hat. Samsungs neue Flash-Chips haben. Trotz der doppelten Speicherkapazität seien die Abmessungen des Chips identisch mit der des Vorgängers mit 256 Gigabyte - Smartphone-Hersteller müssen damit nicht mehr Platz für den Speicherchip verplanen. Damit gibt es ein neues Lebenszeichen für die größere Variante der neuen 3D-NAND-Generation V-NAND V4, bei der Samsung zuletzt nur von 256-Gigabit-Dies gesprochen hatte.

Damit Daten wie beispielsweise 4K-Videos schnell auf den Speicher geschrieben werden können, wird die Schreibrate mit 255 Megabyte pro Sekunde angegeben. Die Zahl der Random-IO-Operationen soll bis zu 42.000 pro Sekunde erreichen können. Das Unternehmen will damit der immer weiter steigenden Nachfrage rund um Embedded-Speicher für Mobilgeräte, hochwertige SSDs und Speicherkarten Rechnung tragen, ohne dass dabei Einbußen bei Kapazität, Speicherdichte und Performance zu erwarten sein sollen.

Samsung mit 512 Gigabyte UFS-Chip: Mehr Speicher für die nächste iPhone-Generation - und das Galaxy S9?

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